Nagy tisztaságú szilícium-karbid por

A 6-12 hüvelykes SiC egykristály szubsztrátok és epitaxiális rétegek maganyagaként szolgál, amelyeket olyan teljesítményeszközök gyártásában használnak, mint az új energetikai járművek fő meghajtó inverterei, az 5G bázisállomás rádiófrekvenciás alkatrészei és a fotovoltaikus inverterek. Széles sávszélességű tulajdonságai növelik a készülék magas hőmérsékletekkel és feszültségekkel szembeni ellenállását, miközben több mint 30%-kal csökkentik az energiafogyasztást.

SiC kerámia tégelyek és{0}}kopásálló kerámia alkatrészek gyártására használják. Kihasználva nagy keménységét és hőstabilitását, olyan alkalmazásokhoz illeszkedik, mint a félvezető lapkák kezelése és a repülőgépek magas hőmérsékletű{2}}szerkezeti részei, így több mint ötszörösére meghosszabbítja az élettartamot a hagyományos kerámiákhoz képest.

Ultra{0}}kemény csiszolóanyagként szolgál optikai üveg- és zafírfelületek precíziós polírozásához; Hővezető bevonatokká alakítva az elektronikus készülékek hőleadó moduljaihoz, 2-3-szor nagyobb hővezető képességet érve el, mint a hagyományos bevonatok.

A lítium{0}}ion akkumulátor anód anyagainak módosítására és az üzemanyagcellás bipoláris lemezek bevonására használják, növelve az akkumulátor élettartamát és az elektromos/hővezetőképességet. Alkalmas csúcskategóriás{2}alkalmazásokhoz új energiahordozó járművekben és energiatároló erőművekben.